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IRFR5505TRPBF  与  BSC130P03LS G  区别

型号 IRFR5505TRPBF BSC130P03LS G
唯样编号 A-IRFR5505TRPBF A-BSC130P03LS G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 55 V 0.11 Ohm 32 nC 57 W Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 110mΩ@9.6A,10V 13mΩ
上升时间 - 65.6ns
漏源极电压Vds 55V 30V
Pd-功率耗散(Max) 57W(Tc) 2.5W
栅极电压Vgs ±20V 25V
典型关闭延迟时间 - 43.5ns
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 D-Pak -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 18A 22.5A
系列 HEXFET® OptiMOSP
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 650pF @ 25V -
长度 - 5.9mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 32nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 35.1ns
典型接通延迟时间 - 11.4ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR5505TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
AOD407 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥5.64 

阶梯数 价格
1: ¥5.64
100: ¥4.1778
1,000: ¥3.1333
2,500: ¥2.256
8,493 对比
BSC080P03LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

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